+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
BCR523E6327HTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR523E6327HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
500mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition :
100MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
330mW
Resistor - Base (R1) :
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
19,668
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR523E6327HTSA1 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR523E6327HTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc BCR523E6327HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR523E6327HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR523E6327HTSA1 Особенности

BCR523E6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT23-3.
  

BCR523E6327HTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR523E6327HTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR523E6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR523E6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR523E6327HTSA1 (PDF), цена BCR523E6327HTSA1, Распиновка BCR523E6327HTSA1, руководство BCR523E6327HTSA1 и решение на замену BCR523E6327HTSA1.
  

BCR523E6327HTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for BCR523E6327HTSA1?
The maximum collector current (IC) rating for BCR523E6327HTSA1 is 100 mA.

2. What is the maximum emitter-base voltage (Veb) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum emitter-base voltage (Veb) for BCR523E6327HTSA1 is 5 V.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR523E6327HTSA1 is 200 mW.

4. What is the typical DC current gain (hFE) for BCR523E6327HTSA1?
The typical DC current gain (hFE) for BCR523E6327HTSA1 is 100-600.

5. What is the maximum operating temperature (Tj) for BCR523E6327HTSA1?
The maximum operating temperature (Tj) for BCR523E6327HTSA1 is 150°C.

6. What is the package type for BCR523E6327HTSA1?
BCR523E6327HTSA1 comes in a SOT-23 package.

7. What is the storage temperature range for BCR523E6327HTSA1?
The storage temperature range for BCR523E6327HTSA1 is -55°C to 150°C.

8. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR523E6327HTSA1 is 0.9 V.

9. What is the typical base-emitter on-state voltage (VBEon) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter on-state voltage (VBEon) for BCR523E6327HTSA1 is 0.75 V.

10. What is the typical base-emitter cut-off current (ICEO) for BCR523E6327HTSA1?
The typical base-emitter cut-off current (ICEO) for BCR523E6327HTSA1 is 100 nA.
  

BCR523E6327HTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR523E6327HTSA1 Цена
BCR523E6327HTSA1 Техническая спецификация
BCR523E6327HTSA1 Картина
BCR523E6327HTSA1 PDF
BCR523E6327HTSA1 Технические характеристики
BCR523E6327HTSA1 Напряжение на выводе
BCR523E6327HTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR5" series products