IXDN502SIAT/R IXYS IC MOSF DRIVER FAST DUAL 8-SOIC
Интегральные схемы (ИС) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IXDN502SIAT/R
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC MOSF DRIVER FAST DUAL 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IXDN502SIAT/R Таблицы данных(PDF)
Channel Type :
Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) :
2A, 2A
Driven Configuration :
Low-Side
Gate Type :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
-
Input Type :
Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Mounting Type :
Surface Mount
Number of Drivers :
2
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) :
7.5ns, 6.5ns
Series :
-
Supplier Device Package :
8-SOIC
Voltage - Supply :
4.5 V ~ 30 V
в наличии
57,668
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IXDN502SIAT/R Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IXDN502SIAT/R более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc IXDN502SIAT/R. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IXDN502SIAT/R. Нажмите, чтобы получить предложение
IXDN502SIAT/R Особенности
IXDN502SIAT/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 8-SOIC, 4.5 V ~ 30 V is the most suitable voltage.
IXDN502SIAT/R Подробная информация о продукции
:
IXDN502SIAT/R — это PMIC - драйверы Gate, буферные усилители, разработанные и
произведенные
IXYS.
IXDN502SIAT/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IXDN502SIAT/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IXDN502SIAT/R (PDF), цена IXDN502SIAT/R, Распиновка IXDN502SIAT/R, руководство IXDN502SIAT/R и решение на замену IXDN502SIAT/R.
IXDN502SIAT/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IXDN502SIAT/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IXDN502SIAT/R (PDF), цена IXDN502SIAT/R, Распиновка IXDN502SIAT/R, руководство IXDN502SIAT/R и решение на замену IXDN502SIAT/R.
IXDN502SIAT/R FAQ
:
1. What is the maximum output current of the IXDN502SIAT/R?
The maximum output current of the IXDN502SIAT/R is 2A.
2. What is the input voltage range for the IXDN502SIAT/R?
The input voltage range for the IXDN502SIAT/R is 3V to 5.5V.
3. What is the typical propagation delay of the IXDN502SIAT/R?
The typical propagation delay of the IXDN502SIAT/R is 22ns.
4. Can the IXDN502SIAT/R be used in high-temperature environments?
Yes, the IXDN502SIAT/R is designed to operate in high-temperature environments.
5. What is the package type of the IXDN502SIAT/R?
The IXDN502SIAT/R comes in a surface-mount package type.
6. Is the IXDN502SIAT/R suitable for driving MOSFETs?
Yes, the IXDN502SIAT/R is suitable for driving MOSFETs.
7. Does the IXDN502SIAT/R have built-in protection features?
Yes, the IXDN502SIAT/R has built-in undervoltage lockout and overcurrent protection.
8. What is the operating temperature range of the IXDN502SIAT/R?
The operating temperature range of the IXDN502SIAT/R is -40°C to 125°C.
9. Can the IXDN502SIAT/R be used in automotive applications?
Yes, the IXDN502SIAT/R is suitable for use in automotive applications.
10. What is the typical power dissipation of the IXDN502SIAT/R?
The typical power dissipation of the IXDN502SIAT/R is 0.5W.
The maximum output current of the IXDN502SIAT/R is 2A.
2. What is the input voltage range for the IXDN502SIAT/R?
The input voltage range for the IXDN502SIAT/R is 3V to 5.5V.
3. What is the typical propagation delay of the IXDN502SIAT/R?
The typical propagation delay of the IXDN502SIAT/R is 22ns.
4. Can the IXDN502SIAT/R be used in high-temperature environments?
Yes, the IXDN502SIAT/R is designed to operate in high-temperature environments.
5. What is the package type of the IXDN502SIAT/R?
The IXDN502SIAT/R comes in a surface-mount package type.
6. Is the IXDN502SIAT/R suitable for driving MOSFETs?
Yes, the IXDN502SIAT/R is suitable for driving MOSFETs.
7. Does the IXDN502SIAT/R have built-in protection features?
Yes, the IXDN502SIAT/R has built-in undervoltage lockout and overcurrent protection.
8. What is the operating temperature range of the IXDN502SIAT/R?
The operating temperature range of the IXDN502SIAT/R is -40°C to 125°C.
9. Can the IXDN502SIAT/R be used in automotive applications?
Yes, the IXDN502SIAT/R is suitable for use in automotive applications.
10. What is the typical power dissipation of the IXDN502SIAT/R?
The typical power dissipation of the IXDN502SIAT/R is 0.5W.
IXDN502SIAT/R Связанные ключевые слова
:
IXDN502SIAT/R Цена
IXDN502SIAT/R Картина
IXDN502SIAT/R Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IXDN"
series
products
