WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA

TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA

Интегральные схемы (ИС)     67-VFBGA
Номер производителя:
TC58BYG1S3HBAI6
Производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
TC58BYG1S3HBAI6 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
25ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Gb (256M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
67-VFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Active
Series :
Benand™
Supplier Device Package :
67-VFBGA (6.5x8)
Technology :
FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
25ns
в наличии
19,326
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

TC58BYG1S3HBAI6 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить TC58BYG1S3HBAI6 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc TC58BYG1S3HBAI6. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на TC58BYG1S3HBAI6. Нажмите, чтобы получить предложение
 

TC58BYG1S3HBAI6 Особенности

TC58BYG1S3HBAI6 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 67-VFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the Benand™ series, using 67-VFBGA (6.5x8), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

TC58BYG1S3HBAI6 Подробная информация о продукции

:
TC58BYG1S3HBAI6 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Toshiba Memory America, Inc..
TC58BYG1S3HBAI6 производства Toshiba Memory America, Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
TC58BYG1S3HBAI6 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных TC58BYG1S3HBAI6 (PDF), цена TC58BYG1S3HBAI6, Распиновка TC58BYG1S3HBAI6, руководство TC58BYG1S3HBAI6 и решение на замену TC58BYG1S3HBAI6.
  

TC58BYG1S3HBAI6 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 166 MHz.

2. What is the typical power consumption of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations is 60 mA.

3. Can the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory be operated at voltages other than 3.3V?
No, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to operate at a voltage of 3.3V.

4. What is the capacity of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte).

5. Does the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory supports hardware data protection features such as write protection and block locking.

6. What is the typical page size of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical page size of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 2 kilobytes.

7. Is the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to operate within industrial temperature ranges.

8. What interface does the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory use for data transfer?
The TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory uses a standard 8-bit asynchronous interface for data transfer.

9. Can the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is suitable for use in automotive applications due to its reliability and temperature range.

10. What is the typical erase time of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical erase time of the TC58BYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 2 milliseconds.
  

TC58BYG1S3HBAI6 Связанные ключевые слова

:
TC58BYG1S3HBAI6 Цена
TC58BYG1S3HBAI6 Техническая спецификация
TC58BYG1S3HBAI6 Картина
TC58BYG1S3HBAI6 PDF
TC58BYG1S3HBAI6 Технические характеристики
TC58BYG1S3HBAI6 Напряжение на выводе
TC58BYG1S3HBAI6 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "TC58" series products