WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA

TC58NYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA

Интегральные схемы (ИС)     67-VFBGA
Номер производителя:
TC58NYG1S3HBAI6
Производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
TC58NYG1S3HBAI6 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
25ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Gb (256M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
67-VFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
67-VFBGA (6.5x8)
Technology :
FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
25ns
в наличии
36,200
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

TC58NYG1S3HBAI6 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить TC58NYG1S3HBAI6 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc TC58NYG1S3HBAI6. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на TC58NYG1S3HBAI6. Нажмите, чтобы получить предложение
 

TC58NYG1S3HBAI6 Особенности

TC58NYG1S3HBAI6 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 67-VFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 67-VFBGA (6.5x8), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

TC58NYG1S3HBAI6 Подробная информация о продукции

:
TC58NYG1S3HBAI6 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Toshiba Memory America, Inc..
TC58NYG1S3HBAI6 производства Toshiba Memory America, Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
TC58NYG1S3HBAI6 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных TC58NYG1S3HBAI6 (PDF), цена TC58NYG1S3HBAI6, Распиновка TC58NYG1S3HBAI6, руководство TC58NYG1S3HBAI6 и решение на замену TC58NYG1S3HBAI6.
  

TC58NYG1S3HBAI6 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 166MHz.

2. What is the typical power consumption of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory during read operations is 60mA.

3. Can the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.

4. What is the data transfer rate of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The data transfer rate of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 52MB/s.

5. Does the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory supports hardware data protection features such as block locking and OTP (One-Time Programmable) area.

6. What is the maximum capacity of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The maximum capacity of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 64Gb.

7. Is the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory compatible with 3.3V and 1.8V power supplies?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is compatible with both 3.3V and 1.8V power supplies.

8. What is the typical program and erase cycle endurance of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The typical program and erase cycle endurance of the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is 3,000 cycles.

9. Does the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory support SLC (Single-Level Cell) and MLC (Multi-Level Cell) configurations?
Yes, the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory supports both SLC and MLC configurations.

10. What are the recommended operating and storage temperature ranges for the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory?
The recommended operating temperature range for the TC58NYG1S3HBAI6 NAND flash memory is -25°C to 85°C, and the recommended storage temperature range is -40°C to 85°C.
  

TC58NYG1S3HBAI6 Связанные ключевые слова

:
TC58NYG1S3HBAI6 Цена
TC58NYG1S3HBAI6 Техническая спецификация
TC58NYG1S3HBAI6 Картина
TC58NYG1S3HBAI6 PDF
TC58NYG1S3HBAI6 Технические характеристики
TC58NYG1S3HBAI6 Напряжение на выводе
TC58NYG1S3HBAI6 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "TC58" series products