WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. TC58NYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
TC58NYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
TC58NYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA

TC58NYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA

Интегральные схемы (ИС)     67-VFBGA
Номер производителя:
TC58NYG2S0HBAI6
Производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
TC58NYG2S0HBAI6 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
25ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
4Gb (512M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
67-VFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
67-VFBGA (6.5x8)
Technology :
FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
25ns
в наличии
21,879
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

TC58NYG2S0HBAI6 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить TC58NYG2S0HBAI6 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc TC58NYG2S0HBAI6. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на TC58NYG2S0HBAI6. Нажмите, чтобы получить предложение
 

TC58NYG2S0HBAI6 Особенности

TC58NYG2S0HBAI6 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 67-VFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 67-VFBGA (6.5x8), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

TC58NYG2S0HBAI6 Подробная информация о продукции

:
TC58NYG2S0HBAI6 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Toshiba Memory America, Inc..
TC58NYG2S0HBAI6 производства Toshiba Memory America, Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
TC58NYG2S0HBAI6 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных TC58NYG2S0HBAI6 (PDF), цена TC58NYG2S0HBAI6, Распиновка TC58NYG2S0HBAI6, руководство TC58NYG2S0HBAI6 и решение на замену TC58NYG2S0HBAI6.
  

TC58NYG2S0HBAI6 Связанные ключевые слова

:
TC58NYG2S0HBAI6 Цена
TC58NYG2S0HBAI6 Техническая спецификация
TC58NYG2S0HBAI6 Картина
TC58NYG2S0HBAI6 PDF
TC58NYG2S0HBAI6 Технические характеристики
TC58NYG2S0HBAI6 Напряжение на выводе
TC58NYG2S0HBAI6 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "TC58" series products