SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SC-89
Дискретные полупроводниковые приборы SC-89, SOT-490
Номер производителя:
SI1011X-T1-GE3
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET P-CH 12V SC-89
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
SI1011X-T1-GE3 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
62pF @ 6V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
SC-89, SOT-490
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power Dissipation (Max) :
190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Series :
TrenchFET®
Supplier Device Package :
SC-89-3
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±5V
Vgs(th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
в наличии
29,082
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SI1011X-T1-GE3 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SI1011X-T1-GE3 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc SI1011X-T1-GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SI1011X-T1-GE3. Нажмите, чтобы получить предложение
SI1011X-T1-GE3 Особенности
SI1011X-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is SC-89, SOT-490, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the TrenchFET® series, using SC-89-3.
SI1011X-T1-GE3 Подробная информация о продукции
:
SI1011X-T1-GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Vishay Siliconix.
SI1011X-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI1011X-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI1011X-T1-GE3 (PDF), цена SI1011X-T1-GE3, Распиновка SI1011X-T1-GE3, руководство SI1011X-T1-GE3 и решение на замену SI1011X-T1-GE3.
SI1011X-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI1011X-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI1011X-T1-GE3 (PDF), цена SI1011X-T1-GE3, Распиновка SI1011X-T1-GE3, руководство SI1011X-T1-GE3 и решение на замену SI1011X-T1-GE3.
SI1011X-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3?
The typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3 is 18mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3 is 240A.
4. What is the gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3?
The gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The input capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 6800pF.
7. What is the output capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The output capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 1100pF.
8. What is the total gate charge of SI1011X-T1-GE3?
The total gate charge of SI1011X-T1-GE3 is typically 30nC.
9. What is the reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 300pF.
10. What is the maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3 is 2.5W.
The maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3?
The typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3 is 18mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3 is 240A.
4. What is the gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3?
The gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The input capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 6800pF.
7. What is the output capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The output capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 1100pF.
8. What is the total gate charge of SI1011X-T1-GE3?
The total gate charge of SI1011X-T1-GE3 is typically 30nC.
9. What is the reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 300pF.
10. What is the maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3 is 2.5W.
SI1011X-T1-GE3 Связанные ключевые слова
:
SI1011X-T1-GE3 Цена
SI1011X-T1-GE3 Картина
SI1011X-T1-GE3 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SI10"
series
products
