SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
SI4058DY-T1-GE3
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
SI4058DY-T1-GE3 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
690pF @ 50V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power Dissipation (Max) :
5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 10A, 10V
Series :
-
Supplier Device Package :
8-SOIC
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
в наличии
25,969
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SI4058DY-T1-GE3 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SI4058DY-T1-GE3 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc SI4058DY-T1-GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SI4058DY-T1-GE3. Нажмите, чтобы получить предложение
SI4058DY-T1-GE3 Особенности
SI4058DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 8-SOIC.
SI4058DY-T1-GE3 Подробная информация о продукции
:
SI4058DY-T1-GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Vishay Siliconix.
SI4058DY-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4058DY-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4058DY-T1-GE3 (PDF), цена SI4058DY-T1-GE3, Распиновка SI4058DY-T1-GE3, руководство SI4058DY-T1-GE3 и решение на замену SI4058DY-T1-GE3.
SI4058DY-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4058DY-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4058DY-T1-GE3 (PDF), цена SI4058DY-T1-GE3, Распиновка SI4058DY-T1-GE3, руководство SI4058DY-T1-GE3 и решение на замену SI4058DY-T1-GE3.
SI4058DY-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4058DY-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI4058DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3?
The continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3 is 9.5A.
3. What is the on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V?
The on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V is typically 7.5mΩ.
4. What is the threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3?
The threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3 is 150°C.
6. What is the gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3?
The gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3 is ±20V.
7. What is the input capacitance of SI4058DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4058DY-T1-GE3 is typically 2300pF.
8. What is the total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3?
The total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3 is typically 22nC.
9. What is the output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3?
The output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 420pF.
10. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 60pF.
The maximum drain-source voltage for SI4058DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3?
The continuous drain current rating for SI4058DY-T1-GE3 is 9.5A.
3. What is the on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V?
The on-resistance of SI4058DY-T1-GE3 at Vgs = 10V is typically 7.5mΩ.
4. What is the threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3?
The threshold voltage for SI4058DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4058DY-T1-GE3 is 150°C.
6. What is the gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3?
The gate-source voltage (Vgs) for SI4058DY-T1-GE3 is ±20V.
7. What is the input capacitance of SI4058DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4058DY-T1-GE3 is typically 2300pF.
8. What is the total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3?
The total gate charge (Qg) for SI4058DY-T1-GE3 is typically 22nC.
9. What is the output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3?
The output capacitance (Coss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 420pF.
10. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance (Crss) of SI4058DY-T1-GE3 is typically 60pF.
SI4058DY-T1-GE3 Связанные ключевые слова
:
SI4058DY-T1-GE3 Цена
SI4058DY-T1-GE3 Картина
SI4058DY-T1-GE3 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SI40"
series
products
