SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Номер производителя:

SI4210DY-T1-GE3

Производитель:

Vishay Siliconix

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

SI4210DY-T1-GE3 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

6.5A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

30V

FET Feature :

Logic Level Gate

FET Type :

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

12nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

445pF @ 15V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power - Max :

2.7W

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

35.5 mOhm @ 5A, 10V

Series :

TrenchFET®

Supplier Device Package :

8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id :

2.5V @ 250µA

в наличии

23,729

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

SI4210DY-T1-GE3 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SI4210DY-T1-GE3 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc SI4210DY-T1-GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SI4210DY-T1-GE3. Нажмите, чтобы получить предложение

SI4210DY-T1-GE3 Особенности

SI4210DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the TrenchFET® series, using 8-SO.

SI4210DY-T1-GE3 Подробная информация о продукции

SI4210DY-T1-GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Vishay Siliconix.
SI4210DY-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4210DY-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4210DY-T1-GE3 (PDF), цена SI4210DY-T1-GE3, Распиновка SI4210DY-T1-GE3, руководство SI4210DY-T1-GE3 и решение на замену SI4210DY-T1-GE3.

SI4210DY-T1-GE3 FAQ

1. What is the maximum operating temperature for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The maximum operating temperature for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 150°C.

2. What is the typical input voltage range for this semiconductor?

The typical input voltage range for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 4.5V to 60V.

3. Can you provide the typical on-state resistance of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The typical on-state resistance of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 8 mΩ.

4. What is the maximum drain-source voltage rating for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The maximum drain-source voltage rating for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 100V.

5. Does the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor have built-in overcurrent protection?

Yes, the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor features built-in overcurrent protection.

6. What is the typical turn-on time for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The typical turn-on time for the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 12 ns.

7. Can you provide the maximum output current capability of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The maximum output current capability of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 20A.

8. What is the typical quiescent current consumption of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The typical quiescent current consumption of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is 250 µA.

9. Does the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor have thermal shutdown protection?

Yes, the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor is equipped with thermal shutdown protection.

10. What is the package type of the SI4210DY-T1-GE3 semiconductor?

The SI4210DY-T1-GE3 semiconductor comes in a DFN-8 package.

SI4210DY-T1-GE3 Связанные ключевые слова

SI4210DY-T1-GE3 Цена

SI4210DY-T1-GE3 Техническая спецификация

SI4210DY-T1-GE3 Картина

SI4210DY-T1-GE3 PDF

SI4210DY-T1-GE3 Технические характеристики

SI4210DY-T1-GE3 Напряжение на выводе

SI4210DY-T1-GE3 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "SI42" series products

SI4210-D-GM

IC TXRX QUAD-BAND 32QFN
SI4210-D-GM

IC TXRX QUAD-BAND 32QFN
SI4210-E-KT-EVB

BOARD EMULATION FOR SI4210
SI4210-E-RF-EVB

BOARD EVALUATION FOR SI4210
SI4210-EVB

BOARD EVALUATION FOR SI4210
SI4210-G-KT-EVB

BOARD EMULATION FOR SI4210
SI4210-G-RF-EVB

BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300
SI4210-T-IF-EVB

BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210
SI4210-X-BO-EVB

BOARD BREAKOUT FOR SI4210
SI4210DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC