SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Номер производителя:

SI4840BDY-T1-GE3

Производитель:

Vishay Siliconix

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

SI4840BDY-T1-GE3 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

19A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

40V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

4.5V, 10V

FET Feature :

FET Type :

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

50nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

2000pF @ 20V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

2.5W (Ta), 6W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

9 mOhm @ 12.4A, 10V

Series :

TrenchFET®

Supplier Device Package :

8-SO

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±20V

Vgs(th) (Max) @ Id :

3V @ 250µA

в наличии

13,836

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

SI4840BDY-T1-GE3 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SI4840BDY-T1-GE3 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc SI4840BDY-T1-GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SI4840BDY-T1-GE3. Нажмите, чтобы получить предложение

SI4840BDY-T1-GE3 Особенности

SI4840BDY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the TrenchFET® series, using 8-SO.

SI4840BDY-T1-GE3 Подробная информация о продукции

SI4840BDY-T1-GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Vishay Siliconix.
SI4840BDY-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4840BDY-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4840BDY-T1-GE3 (PDF), цена SI4840BDY-T1-GE3, Распиновка SI4840BDY-T1-GE3, руководство SI4840BDY-T1-GE3 и решение на замену SI4840BDY-T1-GE3.

SI4840BDY-T1-GE3 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum drain-source voltage for the SI4840BDY-T1-GE3 is 30V.

2. What is the typical on-resistance of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical on-resistance of the SI4840BDY-T1-GE3 is 18mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum continuous drain current for the SI4840BDY-T1-GE3 is 60A.

4. What is the gate threshold voltage of the SI4840BDY-T1-GE3?

The gate threshold voltage of the SI4840BDY-T1-GE3 is typically 1.5V.

5. What is the typical input capacitance of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical input capacitance of the SI4840BDY-T1-GE3 is 3700pF.

6. What is the maximum power dissipation of the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum power dissipation of the SI4840BDY-T1-GE3 is 2.5W.

7. What is the operating temperature range for the SI4840BDY-T1-GE3?

The operating temperature range for the SI4840BDY-T1-GE3 is -55°C to 150°C.

8. What is the typical turn-on delay time of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical turn-on delay time of the SI4840BDY-T1-GE3 is 10ns.

9. What is the typical turn-off delay time of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical turn-off delay time of the SI4840BDY-T1-GE3 is 25ns.

10. What is the maximum junction temperature for the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum junction temperature for the SI4840BDY-T1-GE3 is 175°C.

SI4840BDY-T1-GE3 Связанные ключевые слова

SI4840BDY-T1-GE3 Цена

SI4840BDY-T1-GE3 Техническая спецификация

SI4840BDY-T1-GE3 Картина

SI4840BDY-T1-GE3 PDF

SI4840BDY-T1-GE3 Технические характеристики

SI4840BDY-T1-GE3 Напряжение на выводе

SI4840BDY-T1-GE3 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.