AS4C512M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA
Интегральные схемы (ИС) 96-TFBGA
Номер производителя:
AS4C512M16D3L-12BIN
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
AS4C512M16D3L-12BIN Таблицы данных(PDF)
Access Time :
13.75ns
Clock Frequency :
800MHz
Memory Format :
DRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
8Gb (512M x 16)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 95°C (TC)
Package / Case :
96-TFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
96-FBGA (14x9)
Technology :
SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply :
1.283 V ~ 1.45 V
Write Cycle Time - Word, Page :
15ns
в наличии
54,793
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
AS4C512M16D3L-12BIN Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить AS4C512M16D3L-12BIN более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc AS4C512M16D3L-12BIN. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на AS4C512M16D3L-12BIN. Нажмите, чтобы получить предложение
AS4C512M16D3L-12BIN Особенности
AS4C512M16D3L-12BIN is produced by Alliance Memory, Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 95°C (TC), the size is 96-TFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 96-FBGA (14x9), 1.283 V ~ 1.45 V is the most suitable voltage.
AS4C512M16D3L-12BIN Подробная информация о продукции
:
AS4C512M16D3L-12BIN — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Alliance Memory, Inc..
AS4C512M16D3L-12BIN производства Alliance Memory, Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
AS4C512M16D3L-12BIN компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных AS4C512M16D3L-12BIN (PDF), цена AS4C512M16D3L-12BIN, Распиновка AS4C512M16D3L-12BIN, руководство AS4C512M16D3L-12BIN и решение на замену AS4C512M16D3L-12BIN.
AS4C512M16D3L-12BIN производства Alliance Memory, Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
AS4C512M16D3L-12BIN компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных AS4C512M16D3L-12BIN (PDF), цена AS4C512M16D3L-12BIN, Распиновка AS4C512M16D3L-12BIN, руководство AS4C512M16D3L-12BIN и решение на замену AS4C512M16D3L-12BIN.
AS4C512M16D3L-12BIN FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the AS4C512M16D3L-12BIN?
The maximum operating frequency of the AS4C512M16D3L-12BIN is 1200 MHz.
2. What is the power supply voltage range for this semiconductor?
The power supply voltage range for the AS4C512M16D3L-12BIN is 1.14V to 1.26V.
3. Can you provide the typical standby current for this device?
The typical standby current for the AS4C512M16D3L-12BIN is 30 mA.
4. What are the operating temperature ranges for this semiconductor?
The operating temperature range for the AS4C512M16D3L-12BIN is -40°C to 95°C.
5. Does this semiconductor support burst read and write operations?
Yes, the AS4C512M16D3L-12BIN supports burst read and write operations.
6. What is the data retention time for this device?
The data retention time for the AS4C512M16D3L-12BIN is 10 years.
7. Can you provide the refresh rate specification for this semiconductor?
The refresh rate specification for the AS4C512M16D3L-12BIN is 8K/32ms.
8. What is the package type for this memory device?
The AS4C512M16D3L-12BIN comes in a 96-ball FBGA package.
9. Is there a recommended layout design for optimal performance?
Yes, please refer to the datasheet for the recommended layout design guidelines.
10. Are there any known reliability issues or failure modes associated with this semiconductor?
There are no known reliability issues or failure modes associated with the AS4C512M16D3L-12BIN at this time.
The maximum operating frequency of the AS4C512M16D3L-12BIN is 1200 MHz.
2. What is the power supply voltage range for this semiconductor?
The power supply voltage range for the AS4C512M16D3L-12BIN is 1.14V to 1.26V.
3. Can you provide the typical standby current for this device?
The typical standby current for the AS4C512M16D3L-12BIN is 30 mA.
4. What are the operating temperature ranges for this semiconductor?
The operating temperature range for the AS4C512M16D3L-12BIN is -40°C to 95°C.
5. Does this semiconductor support burst read and write operations?
Yes, the AS4C512M16D3L-12BIN supports burst read and write operations.
6. What is the data retention time for this device?
The data retention time for the AS4C512M16D3L-12BIN is 10 years.
7. Can you provide the refresh rate specification for this semiconductor?
The refresh rate specification for the AS4C512M16D3L-12BIN is 8K/32ms.
8. What is the package type for this memory device?
The AS4C512M16D3L-12BIN comes in a 96-ball FBGA package.
9. Is there a recommended layout design for optimal performance?
Yes, please refer to the datasheet for the recommended layout design guidelines.
10. Are there any known reliability issues or failure modes associated with this semiconductor?
There are no known reliability issues or failure modes associated with the AS4C512M16D3L-12BIN at this time.
AS4C512M16D3L-12BIN Связанные ключевые слова
:
AS4C512M16D3L-12BIN Цена
AS4C512M16D3L-12BIN Картина
AS4C512M16D3L-12BIN Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"AS4C"
series
products
