DGD2101S8-13 Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Интегральные схемы (ИС) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
DGD2101S8-13
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
DGD2101S8-13 Таблицы данных(PDF)
Channel Type :
Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) :
290mA, 600mA
Driven Configuration :
Half-Bridge
Gate Type :
IGBT, N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
600V
Input Type :
Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Mounting Type :
Surface Mount
Number of Drivers :
2
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Rise / Fall Time (Typ) :
70ns, 35ns
Series :
-
Supplier Device Package :
8-SO
Voltage - Supply :
10 V ~ 20 V
в наличии
22,293
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
DGD2101S8-13 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DGD2101S8-13 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc DGD2101S8-13. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на DGD2101S8-13. Нажмите, чтобы получить предложение
DGD2101S8-13 Особенности
DGD2101S8-13 is produced by Diodes Incorporated, belongs to PMIC - драйверы Gate, and its best working temperature is -40°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 8-SO, 10 V ~ 20 V is the most suitable voltage.
DGD2101S8-13 Подробная информация о продукции
:
DGD2101S8-13 — это PMIC - драйверы Gate, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Diodes Incorporated.
DGD2101S8-13 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DGD2101S8-13 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DGD2101S8-13 (PDF), цена DGD2101S8-13, Распиновка DGD2101S8-13, руководство DGD2101S8-13 и решение на замену DGD2101S8-13.
DGD2101S8-13 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DGD2101S8-13 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DGD2101S8-13 (PDF), цена DGD2101S8-13, Распиновка DGD2101S8-13, руководство DGD2101S8-13 и решение на замену DGD2101S8-13.
DGD2101S8-13 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for DGD2101S8-13?
The maximum drain-source voltage for DGD2101S8-13 is 100V.
2. What is the typical on-state resistance of DGD2101S8-13?
The typical on-state resistance of DGD2101S8-13 is 20mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for DGD2101S8-13?
The maximum continuous drain current for DGD2101S8-13 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of DGD2101S8-13?
The gate threshold voltage of DGD2101S8-13 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for DGD2101S8-13?
The maximum junction temperature for DGD2101S8-13 is 175°C.
6. What is the input capacitance of DGD2101S8-13?
The input capacitance of DGD2101S8-13 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge of DGD2101S8-13?
The total gate charge of DGD2101S8-13 is typically 60nC.
8. What is the maximum power dissipation of DGD2101S8-13?
The maximum power dissipation of DGD2101S8-13 is 200W.
9. What is the operating junction and storage temperature range for DGD2101S8-13?
The operating junction and storage temperature range for DGD2101S8-13 is -55°C to 175°C.
10. What is the package type of DGD2101S8-13?
DGD2101S8-13 comes in a TO-252-3 package.
The maximum drain-source voltage for DGD2101S8-13 is 100V.
2. What is the typical on-state resistance of DGD2101S8-13?
The typical on-state resistance of DGD2101S8-13 is 20mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for DGD2101S8-13?
The maximum continuous drain current for DGD2101S8-13 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of DGD2101S8-13?
The gate threshold voltage of DGD2101S8-13 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for DGD2101S8-13?
The maximum junction temperature for DGD2101S8-13 is 175°C.
6. What is the input capacitance of DGD2101S8-13?
The input capacitance of DGD2101S8-13 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge of DGD2101S8-13?
The total gate charge of DGD2101S8-13 is typically 60nC.
8. What is the maximum power dissipation of DGD2101S8-13?
The maximum power dissipation of DGD2101S8-13 is 200W.
9. What is the operating junction and storage temperature range for DGD2101S8-13?
The operating junction and storage temperature range for DGD2101S8-13 is -55°C to 175°C.
10. What is the package type of DGD2101S8-13?
DGD2101S8-13 comes in a TO-252-3 package.
DGD2101S8-13 Связанные ключевые слова
:
DGD2101S8-13 Цена
DGD2101S8-13 Картина
DGD2101S8-13 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"DGD2"
series
products
