WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. 70T651S10BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA
70T651S10BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA
70T651S10BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA

70T651S10BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA

Интегральные схемы (ИС)     256-LBGA
Номер производителя:
70T651S10BCI8
Производитель:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
70T651S10BCI8 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
10ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
SRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
9Mb (256K x 36)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
256-LBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
256-CABGA (17x17)
Technology :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Voltage - Supply :
2.4 V ~ 2.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
10ns
в наличии
25,066
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

70T651S10BCI8 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 70T651S10BCI8 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc 70T651S10BCI8. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на 70T651S10BCI8. Нажмите, чтобы получить предложение
 

70T651S10BCI8 Особенности

70T651S10BCI8 is produced by IDT, Integrated Device Technology Inc, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 256-LBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 256-CABGA (17x17), 2.4 V ~ 2.6 V is the most suitable voltage.
  

70T651S10BCI8 Подробная информация о продукции

:
70T651S10BCI8 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные IDT, Integrated Device Technology Inc.
70T651S10BCI8 производства IDT, Integrated Device Technology Inc можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
70T651S10BCI8 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 70T651S10BCI8 (PDF), цена 70T651S10BCI8, Распиновка 70T651S10BCI8, руководство 70T651S10BCI8 и решение на замену 70T651S10BCI8.
  

70T651S10BCI8 FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The maximum operating temperature for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 150°C.

2. What is the typical voltage rating for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The typical voltage rating for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 600V.

3. Can you provide the typical on-state voltage drop for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The typical on-state voltage drop for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 1.5V.

4. What is the recommended gate trigger current for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The recommended gate trigger current for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 100mA.

5. What is the maximum repetitive peak reverse voltage for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The maximum repetitive peak reverse voltage for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 800V.

6. Can you explain the typical thermal resistance junction to case for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The typical thermal resistance junction to case for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 0.5°C/W.

7. What is the maximum allowable surge current for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The maximum allowable surge current for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 300A.

8. Can you provide the typical gate trigger voltage for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The typical gate trigger voltage for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 2.5V.

9. What is the maximum forward voltage drop for the 70T651S10BCI8 semiconductor at 25°C?
The maximum forward voltage drop for the 70T651S10BCI8 semiconductor at 25°C is 1.7V.

10. Can you explain the typical turn-off time for the 70T651S10BCI8 semiconductor?
The typical turn-off time for the 70T651S10BCI8 semiconductor is 50μs.
  

70T651S10BCI8 Связанные ключевые слова

:
70T651S10BCI8 Цена
70T651S10BCI8 Техническая спецификация
70T651S10BCI8 Картина
70T651S10BCI8 PDF
70T651S10BCI8 Технические характеристики
70T651S10BCI8 Напряжение на выводе
70T651S10BCI8 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "70T6" series products