12A02MH-TL-E ON Semiconductor TRANS PNP 12V 1A MCPH3
Дискретные полупроводниковые приборы 3-SMD, Flat Leads
Номер производителя:
12A02MH-TL-E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PNP 12V 1A MCPH3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
12A02MH-TL-E Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
1A
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition :
450MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
3-SMD, Flat Leads
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
600mW
Series :
-
Supplier Device Package :
3-MCPH
Transistor Type :
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
240mV @ 20mA, 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
12V
в наличии
17,567
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
12A02MH-TL-E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 12A02MH-TL-E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc 12A02MH-TL-E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 12A02MH-TL-E. Нажмите, чтобы получить предложение
12A02MH-TL-E Особенности
12A02MH-TL-E is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is 3-SMD, Flat Leads, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 3-MCPH.
12A02MH-TL-E Подробная информация о продукции
:
12A02MH-TL-E — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
ON Semiconductor.
12A02MH-TL-E производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
12A02MH-TL-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 12A02MH-TL-E (PDF), цена 12A02MH-TL-E, Распиновка 12A02MH-TL-E, руководство 12A02MH-TL-E и решение на замену 12A02MH-TL-E.
12A02MH-TL-E производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
12A02MH-TL-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 12A02MH-TL-E (PDF), цена 12A02MH-TL-E, Распиновка 12A02MH-TL-E, руководство 12A02MH-TL-E и решение на замену 12A02MH-TL-E.
12A02MH-TL-E FAQ
:
1. What is the maximum voltage rating for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The maximum voltage rating for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 30 volts.
2. What is the continuous collector current rating for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The continuous collector current rating for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 12 amperes.
3. Can the 12A02MH-TL-E handle high-frequency applications?
Yes, the 12A02MH-TL-E is suitable for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the typical on-state voltage drop for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The typical on-state voltage drop for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 1.1 volts at a forward current of 6 amperes.
5. Is the 12A02MH-TL-E suitable for use in automotive applications?
Yes, the 12A02MH-TL-E is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.
6. What is the maximum junction temperature for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The maximum junction temperature for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 175°C.
7. Does the 12A02MH-TL-E have built-in protection features?
Yes, the 12A02MH-TL-E includes built-in protection features such as overcurrent and thermal shutdown protection.
8. What is the typical turn-on time for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The typical turn-on time for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 15 nanoseconds.
9. Can the 12A02MH-TL-E be used in parallel configurations for higher current applications?
Yes, the 12A02MH-TL-E can be used in parallel configurations to achieve higher current-handling capabilities.
10. What package type is used for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is available in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.
The maximum voltage rating for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 30 volts.
2. What is the continuous collector current rating for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The continuous collector current rating for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 12 amperes.
3. Can the 12A02MH-TL-E handle high-frequency applications?
Yes, the 12A02MH-TL-E is suitable for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the typical on-state voltage drop for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The typical on-state voltage drop for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 1.1 volts at a forward current of 6 amperes.
5. Is the 12A02MH-TL-E suitable for use in automotive applications?
Yes, the 12A02MH-TL-E is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.
6. What is the maximum junction temperature for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The maximum junction temperature for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 175°C.
7. Does the 12A02MH-TL-E have built-in protection features?
Yes, the 12A02MH-TL-E includes built-in protection features such as overcurrent and thermal shutdown protection.
8. What is the typical turn-on time for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The typical turn-on time for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is 15 nanoseconds.
9. Can the 12A02MH-TL-E be used in parallel configurations for higher current applications?
Yes, the 12A02MH-TL-E can be used in parallel configurations to achieve higher current-handling capabilities.
10. What package type is used for the 12A02MH-TL-E discrete semiconductor?
The 12A02MH-TL-E discrete semiconductor is available in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.
12A02MH-TL-E Связанные ключевые слова
:
12A02MH-TL-E Цена
12A02MH-TL-E Картина
12A02MH-TL-E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"12A0"
series
products
