LAF0001N ON Semiconductor IC PWR CONV TBD 8-DIP
Интегральные схемы (ИС) 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Номер производителя:
LAF0001N
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC PWR CONV TBD 8-DIP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Applications :
-
Current - Supply :
-
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-
Package / Case :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Series :
Supplier Device Package :
8-DIP
Voltage - Supply :
-
в наличии
38,410
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
LAF0001N Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить LAF0001N более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc LAF0001N. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на LAF0001N. Нажмите, чтобы получить предложение
LAF0001N Особенности
LAF0001N is produced by ON Semiconductor, belongs to PMIC - Управление питанием - Специализированный, the standard power supply is -, and its best working temperature is -, the size is 8-DIP (0.300", 7.62mm), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the series, using 8-DIP, - is the most suitable voltage.
LAF0001N Подробная информация о продукции
:
LAF0001N — это PMIC - Управление питанием - Специализированный, буферные усилители, разработанные и
произведенные
ON Semiconductor.
LAF0001N производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
LAF0001N компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных LAF0001N (PDF), цена LAF0001N, Распиновка LAF0001N, руководство LAF0001N и решение на замену LAF0001N.
LAF0001N производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
LAF0001N компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных LAF0001N (PDF), цена LAF0001N, Распиновка LAF0001N, руководство LAF0001N и решение на замену LAF0001N.
LAF0001N FAQ
:
1. Q: What is the maximum drain-source voltage for the LAF0001N power MOSFET?
A: The maximum drain-source voltage for the LAF0001N power MOSFET is 100V.
2. Q: What is the continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET?
A: The continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET is 70A.
3. Q: What is the on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET?
A: The on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET is typically 4.5mΩ.
4. Q: What is the gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET?
A: The gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET is typically 2.5V.
5. Q: What is the maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET?
A: The maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET is 175°C.
6. Q: What is the input capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The input capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 5200pF.
7. Q: What is the output capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The output capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 600pF.
8. Q: What is the reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 300pF.
9. Q: What is the total gate charge of the LAF0001N power MOSFET?
A: The total gate charge of the LAF0001N power MOSFET is typically 60nC.
10. Q: What is the diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET?
A: The diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET is typically 1.3V.
A: The maximum drain-source voltage for the LAF0001N power MOSFET is 100V.
2. Q: What is the continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET?
A: The continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET is 70A.
3. Q: What is the on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET?
A: The on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET is typically 4.5mΩ.
4. Q: What is the gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET?
A: The gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET is typically 2.5V.
5. Q: What is the maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET?
A: The maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET is 175°C.
6. Q: What is the input capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The input capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 5200pF.
7. Q: What is the output capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The output capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 600pF.
8. Q: What is the reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 300pF.
9. Q: What is the total gate charge of the LAF0001N power MOSFET?
A: The total gate charge of the LAF0001N power MOSFET is typically 60nC.
10. Q: What is the diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET?
A: The diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET is typically 1.3V.
LAF0001N Связанные ключевые слова
:
LAF0001N Цена
LAF0001N Картина
LAF0001N Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1