WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
  5. MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
MT3S111(TE85L,F)
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Описание:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
MT3S111(TE85L,F) Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition :
11.5GHz
Gain :
12dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
1.2dB @ 1GHz
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
700mW
Series :
-
Supplier Device Package :
S-Mini
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
6V
в наличии
12,234
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT3S111(TE85L,F) Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT3S111(TE85L,F) более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT3S111(TE85L,F). Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT3S111(TE85L,F). Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT3S111(TE85L,F) Особенности

MT3S111(TE85L,F) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - RF, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using S-Mini.
  

MT3S111(TE85L,F) Подробная информация о продукции

:
MT3S111(TE85L,F) — это Транзисторы - биполярные (BJT) - RF, буферные усилители, разработанные и произведенные Toshiba Semiconductor and Storage.
MT3S111(TE85L,F) производства Toshiba Semiconductor and Storage можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT3S111(TE85L,F) компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT3S111(TE85L,F) (PDF), цена MT3S111(TE85L,F), Распиновка MT3S111(TE85L,F), руководство MT3S111(TE85L,F) и решение на замену MT3S111(TE85L,F).
  

MT3S111(TE85L,F) FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for MT3S111(TE85L,F)?
The maximum operating temperature for MT3S111(TE85L,F) is 150°C.

2. What is the typical forward voltage of MT3S111(TE85L,F)?
The typical forward voltage of MT3S111(TE85L,F) is 0.7V.

3. What is the maximum reverse voltage for MT3S111(TE85L,F)?
The maximum reverse voltage for MT3S111(TE85L,F) is 40V.

4. What is the recommended storage temperature range for MT3S111(TE85L,F)?
The recommended storage temperature range for MT3S111(TE85L,F) is -55°C to 150°C.

5. What is the maximum continuous forward current for MT3S111(TE85L,F)?
The maximum continuous forward current for MT3S111(TE85L,F) is 500mA.

6. What is the typical reverse current of MT3S111(TE85L,F) at its maximum reverse voltage?
The typical reverse current of MT3S111(TE85L,F) at its maximum reverse voltage is 10µA.

7. What is the thermal resistance junction to ambient for MT3S111(TE85L,F)?
The thermal resistance junction to ambient for MT3S111(TE85L,F) is 250°C/W.

8. What is the maximum power dissipation for MT3S111(TE85L,F)?
The maximum power dissipation for MT3S111(TE85L,F) is 200mW.

9. What is the package type of MT3S111(TE85L,F)?
MT3S111(TE85L,F) comes in a SOD-323 package.

10. What is the lead-free status of MT3S111(TE85L,F)?
MT3S111(TE85L,F) is lead-free and RoHS compliant.
  

MT3S111(TE85L,F) Связанные ключевые слова

:
MT3S111(TE85L,F) Цена
MT3S111(TE85L,F) Техническая спецификация
MT3S111(TE85L,F) Картина
MT3S111(TE85L,F) PDF
MT3S111(TE85L,F) Технические характеристики
MT3S111(TE85L,F) Напряжение на выводе
MT3S111(TE85L,F) Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT3S" series products