+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы     8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
SI4200DY-T1-GE3
Производитель:
Vishay Siliconix
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
SI4200DY-T1-GE3 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
8A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
415pF @ 13V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
2.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.3A, 10V
Series :
TrenchFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
в наличии
28,677
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

SI4200DY-T1-GE3 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SI4200DY-T1-GE3 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc SI4200DY-T1-GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SI4200DY-T1-GE3. Нажмите, чтобы получить предложение
 

SI4200DY-T1-GE3 Особенности

SI4200DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the TrenchFET® series, using 8-SO.
  

SI4200DY-T1-GE3 Подробная информация о продукции

:
SI4200DY-T1-GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Vishay Siliconix.
SI4200DY-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4200DY-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4200DY-T1-GE3 (PDF), цена SI4200DY-T1-GE3, Распиновка SI4200DY-T1-GE3, руководство SI4200DY-T1-GE3 и решение на замену SI4200DY-T1-GE3.
  

SI4200DY-T1-GE3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4200DY-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI4200DY-T1-GE3 is 20V.

2. What is the continuous drain current rating for SI4200DY-T1-GE3?
The continuous drain current rating for SI4200DY-T1-GE3 is 4.2A.

3. What is the on-resistance for SI4200DY-T1-GE3 at a specific gate-source voltage?
The on-resistance for SI4200DY-T1-GE3 at a gate-source voltage of 10V is typically 25mΩ.

4. Can SI4200DY-T1-GE3 be used in automotive applications?
Yes, SI4200DY-T1-GE3 is suitable for use in automotive applications.

5. What is the maximum junction temperature for SI4200DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4200DY-T1-GE3 is 150°C.

6. Does SI4200DY-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, SI4200DY-T1-GE3 features built-in ESD protection.

7. What is the typical input capacitance for SI4200DY-T1-GE3?
The typical input capacitance for SI4200DY-T1-GE3 is 1800pF.

8. Is SI4200DY-T1-GE3 RoHS compliant?
Yes, SI4200DY-T1-GE3 is RoHS compliant.

9. What is the package type for SI4200DY-T1-GE3?
SI4200DY-T1-GE3 is available in a DPAK (TO-252) package.

10. What is the typical turn-on time for SI4200DY-T1-GE3?
The typical turn-on time for SI4200DY-T1-GE3 is 14ns.
  

SI4200DY-T1-GE3 Связанные ключевые слова

:
SI4200DY-T1-GE3 Цена
SI4200DY-T1-GE3 Техническая спецификация
SI4200DY-T1-GE3 Картина
SI4200DY-T1-GE3 PDF
SI4200DY-T1-GE3 Технические характеристики
SI4200DY-T1-GE3 Напряжение на выводе
SI4200DY-T1-GE3 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "SI42" series products