SI4776DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
SI4776DY-T1-GE3
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
SI4776DY-T1-GE3 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
11.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
521pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TA)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power Dissipation (Max) :
4.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 10A, 10V
Series :
SkyFET®, TrenchFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
в наличии
44,861
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SI4776DY-T1-GE3 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SI4776DY-T1-GE3 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc SI4776DY-T1-GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SI4776DY-T1-GE3. Нажмите, чтобы получить предложение
SI4776DY-T1-GE3 Особенности
SI4776DY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TA), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the SkyFET®, TrenchFET® series, using 8-SO.
SI4776DY-T1-GE3 Подробная информация о продукции
:
SI4776DY-T1-GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Vishay Siliconix.
SI4776DY-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4776DY-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4776DY-T1-GE3 (PDF), цена SI4776DY-T1-GE3, Распиновка SI4776DY-T1-GE3, руководство SI4776DY-T1-GE3 и решение на замену SI4776DY-T1-GE3.
SI4776DY-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4776DY-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4776DY-T1-GE3 (PDF), цена SI4776DY-T1-GE3, Распиновка SI4776DY-T1-GE3, руководство SI4776DY-T1-GE3 и решение на замену SI4776DY-T1-GE3.
SI4776DY-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI4776DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3?
The typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3 is 9.5 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3?
The gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI4776DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4776DY-T1-GE3 is typically 5200pF.
7. What is the total gate charge of SI4776DY-T1-GE3?
The total gate charge of SI4776DY-T1-GE3 is typically 35nC.
8. What is the maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3 is 2.5W.
9. What is the operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3?
The operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3 is -55°C to 150°C.
10. What is the package type of SI4776DY-T1-GE3?
SI4776DY-T1-GE3 comes in a DPAK-3 package.
The maximum drain-source voltage for SI4776DY-T1-GE3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3?
The typical on-resistance of SI4776DY-T1-GE3 is 9.5 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI4776DY-T1-GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3?
The gate threshold voltage of SI4776DY-T1-GE3 is typically 1.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI4776DY-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI4776DY-T1-GE3?
The input capacitance of SI4776DY-T1-GE3 is typically 5200pF.
7. What is the total gate charge of SI4776DY-T1-GE3?
The total gate charge of SI4776DY-T1-GE3 is typically 35nC.
8. What is the maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI4776DY-T1-GE3 is 2.5W.
9. What is the operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3?
The operating temperature range for SI4776DY-T1-GE3 is -55°C to 150°C.
10. What is the package type of SI4776DY-T1-GE3?
SI4776DY-T1-GE3 comes in a DPAK-3 package.
SI4776DY-T1-GE3 Связанные ключевые слова
:
SI4776DY-T1-GE3 Цена
SI4776DY-T1-GE3 Картина
SI4776DY-T1-GE3 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SI47"
series
products
