SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V SOT23

Дискретные полупроводниковые приборы TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Номер производителя:

SQ2303ES-T1_GE3

Производитель:

Vishay Siliconix

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET P-CHAN 30V SOT23

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

SQ2303ES-T1_GE3 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

2.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

4.5V, 10V

FET Feature :

FET Type :

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

6.8nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

210pF @ 25V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

1.9W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

170 mOhm @ 1.8A, 10V

Series :

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Supplier Device Package :

TO-236 (SOT-23)

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±20V

Vgs(th) (Max) @ Id :

2.5V @ 250µA

в наличии

32,021

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

SQ2303ES-T1_GE3 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SQ2303ES-T1_GE3 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc SQ2303ES-T1_GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SQ2303ES-T1_GE3. Нажмите, чтобы получить предложение

SQ2303ES-T1_GE3 Особенности

SQ2303ES-T1_GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® series, using TO-236 (SOT-23).

SQ2303ES-T1_GE3 Подробная информация о продукции

SQ2303ES-T1_GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Vishay Siliconix.
SQ2303ES-T1_GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SQ2303ES-T1_GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SQ2303ES-T1_GE3 (PDF), цена SQ2303ES-T1_GE3, Распиновка SQ2303ES-T1_GE3, руководство SQ2303ES-T1_GE3 и решение на замену SQ2303ES-T1_GE3.

SQ2303ES-T1_GE3 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for the SQ2303ES-T1_GE3?

The maximum drain-source voltage for the SQ2303ES-T1_GE3 is 30V.

2. What is the continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3?

The continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3 is 8A.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 at a specific gate-source voltage?

The on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 is typically 15mΩ at a gate-source voltage of 10V.

4. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in automotive applications?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for use in automotive applications.

5. What is the maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3?

The maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3 is 175°C.

6. Does the SQ2303ES-T1_GE3 have built-in ESD protection?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 features built-in ESD protection.

7. What is the typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3?

The typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3 is 2100pF.

8. Is the SQ2303ES-T1_GE3 RoHS compliant?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is RoHS compliant.

9. What is the package type of the SQ2303ES-T1_GE3?

The SQ2303ES-T1_GE3 is available in a PowerPAK® SO-8 package.

10. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in high-frequency switching applications?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for high-frequency switching applications.

SQ2303ES-T1_GE3 Связанные ключевые слова

SQ2303ES-T1_GE3 Цена

SQ2303ES-T1_GE3 Техническая спецификация

SQ2303ES-T1_GE3 Картина

SQ2303ES-T1_GE3 PDF

SQ2303ES-T1_GE3 Технические характеристики

SQ2303ES-T1_GE3 Напряжение на выводе

SQ2303ES-T1_GE3 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.